這款由蘇州同創(chuàng)電子有限公司研發(fā)的硅材料復(fù)合測(cè)試儀SZT-5，結(jié)合了二種硅材料測(cè)試儀器的功能，為用戶(hù)提供了前所未有的測(cè)試體驗(yàn)。成為了電子工程師和研究人員的得力助手。

一、SZT-5硅材料復(fù)合測(cè)試儀的概述

SZT-5硅材料復(fù)合測(cè)試儀，不僅具備二量程的電阻測(cè)量功能，還可以通過(guò)手持式四針測(cè)試頭或座式測(cè)試架，輕松測(cè)量片狀、柱狀或塊狀半導(dǎo)體材料的電阻率。

SZT-5還配備了整流法硅材料P-N極性判別儀，能夠準(zhǔn)確判斷硅材料的導(dǎo)電類(lèi)型。

二、技術(shù)參數(shù)

測(cè)量范圍：電阻率測(cè)量范圍為0.01-200Ω-cm，方塊電阻測(cè)量范圍為0.01-200Ω-口，電阻測(cè)量范圍為0.01-200.0Ω。

數(shù)字電壓表：具備200mV單一量程，誤差為讀數(shù)±0.2%±3字，輸入電阻超過(guò)10MΩ。

恒流源：電流輸出為0~10mA連續(xù)可調(diào)，具備1mA和10mA兩個(gè)量程，誤差為±0.2%±3字。

手持式四探針測(cè)試頭：探針間距為1mm，探針機(jī)械游移率為±1.0%，探針材料為碳化鎢，最大壓力為2Kg。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

SZT-5硅材料復(fù)合測(cè)試儀普遍用于半導(dǎo)體材料的研究與生產(chǎn)、硅材料薄層擴(kuò)散和導(dǎo)電薄膜的測(cè)試，以及其他需要精確測(cè)量電阻率和導(dǎo)電類(lèi)型的領(lǐng)域。為用戶(hù)提供了高效、精確的測(cè)試解決方案。

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